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光发射装置以及采用该光发射装置的电子设备

【专利主权项】:

【专利摘要】:

光发射装置包括第一电极和第二电极,在两电极之间的发光层、与发光层接触的空穴传递层,与发光层接触的电子传递层以及设置在电子传递层和第二电极之间的混合层。混合层包含电子传递物质以及对该电子传递物质表现出电子给予特性的物质。发光层包含以通式(1)表示的有机金属配合物以及主体。R1和R2各自表示吸电子基团,R3和R4各自表示氢或有1-4个碳原子的烷基,L表示具有β-二酮结构的单阴离子配体、具有羧基的单阴离子二齿螯合配体以及具有酚式羟基的单阴离子二齿螯合配体。

【专利主权项】:
权利要求书 1.一种光发射装置,包括: 第一电极和第二电极之间的发光层; 在第一电极和发光层之间的空穴传递层,其中所述的空穴传递层与发光层接触; 在第二电极和发光层之间的电子传递层,其中所述电子传递层与发光层接触; 在电子传递层和第二电极之间的混合层,所述混合层包含电子传递物质以及对该电子传递物质表现出电子给予特性的物质; 其中,发光层包含以通式(1)表示的有机金属配合物以及主体; 另外, 其中,R1和R2各自表示吸电子基团,R3和R4各自表示氢或有1-4个碳原子的烷基,L表示单阴离子配体。

【查看完整的专利全文技术资料】 专利下载:

专利号 : CN200610084751.1
光发射装置以及采用该光发射装置的电子设备
公开(公告)日: 2006-11-22
公开(公告)号: CN1866576
申请日 : 2006-05-19
专利人: 株式会社半导体能源研究所
发明人: 大澤信晴 井上英子 瀬尾哲史 下垣智子
分类号 : H05B33/14 C09K11/06 H01L51/50 H01L51/54
地址 : |日本神奈川县


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