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N沟道大功率半导体恒电流二极管

1、一种N沟道大功率半导体恒电流二极管,它包括N型半导体衬底(2),其特征在于:在N型半导体衬底(2)下连接有金属电极(1),在N型半导体衬底(2)上设有P型半导体区域(6)和P型半导体区域(3),在P型半导体区域(6)和P型半导体区域(3)之间设有N型沟道(4),在N型沟道(4)上设有N+型半导体(7),P型半导体区域(3)、N+型半导体区域(7)与P型半导体区域(6)通过金属电极(8)连接,在P型半导体区域(3)上设有N+型半导体(5),N+型半导体(5)连接有金属电极(9)。

本实用新型公开了一种N沟道大功率半导体恒电流二极管,它包括N型半导体衬底(2),在N型半导体衬底(2)下连接有电极(1),在N型半导体衬底(2)上设有P型半导体区域(6)和(3),在P型半导体区域(6)和(3)之间设有N型沟道(4),在N型沟道(4)上设有N+型半导体(7),P型半导体区域(3)、N+型半导体区域(7)与P型半导体区域(6)通过电极(8)连接,在P型半导体区域(3)上设有N+型半导体(5),N+型半导体(5)连接有电极(9)。本实用新型的特点是通过半导体器件结构的物理过程实现恒流特性,具有利用半导体物理特性、实现恒流电路的功能,结构简单,可以直接恒流驱动负载的优点。

【 下载 完整版的技术资料 】:

专利号 : CN200720200015.8
N沟道大功率半导体恒电流二极管
公开(公告)日: 20080528
公开(公告)号: CN201066691
申请日 : 20070115
专利人: 贵州大学
发明人: 刘桥
分类号 : H01L29/861
地址 : 550003|贵州省贵阳市蔡家关
[转载需保留出处 - 专利查询网]:http://www.00370.com/zhuanli/404804.html
相关分类:H01L29/861