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一种监测离子注入状态的方法

1.一种监测离子注入状态的方法,其特征在于,包括以下步骤:A、在监测晶圆上沉积外延层,用于制作P/N结;B、用测量机器测量监测晶圆的薄层电阻值;C、对监测晶圆进行离子注入;D、用测量机器测量监测晶圆的薄层电阻值;E、计算两次测量的薄层电阻值的差值。

本发明公开了一种监测离子注入状态的方法,包括以下步骤:A)在监测晶圆上沉积外延层,用于制作P/N结;B)用测量机器测量监测晶圆的薄层电阻值;C)对监测晶圆进行离子注入;D)用测量机器测量监测晶圆的薄层电阻值;E)计算两次测量的薄层电阻值的差值。该方法用于监测同一台离子注入设备的工作稳定性或不同离子注入设备的工作状态的一致性。

【 下载 完整版的技术资料 】:

专利号 : CN200710036531.6
一种监测离子注入状态的方法
公开(公告)日: 20080723
公开(公告)号: CN101225506
申请日 : 20070117
专利人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人: 许世勋 高强
分类号 : C23C14/52 C23C14/48
地址 : 201203|上海市浦东新区张江路18号
[转载需保留出处 - 专利查询网]:http://www.00370.com/zhuanli/404656.html
相关分类:C23C14/52 C23C14/48